美國研發大功率UVLED

UVLED的發光功率低，主要是受制于模具生產、材料和封裝技術水平的限制。 目前，UV LED封裝主要包括環氧樹脂封裝和金屬和玻璃鏡片。 前者主要用于400nm左右的近紫外LED，但材料受UV輻射老化影響較大。 后者主要應用于波長小于380nm的UVLED。GaN、藍寶石等材料與空氣折射率差較大，造成全反射，限制光效，封裝后光輸出效率低。 美國桑迪亞國家實驗室開發的一種高功率紫外發光二極管(LED)，采用倒裝芯片和導熱基板，可以提高亮度和效率。 在DC工作模式下，一臺設備可以提供1.3mW的290nm連續輻射，另一臺可以提供0.4mW的275nm輻射。 它具有體積小、幾乎無需維護、功耗極低的特點，適用于隱蔽通信的非視距發射機、手持生物傳感器和固態照明等場合。 大功率LED（HP LED）可以在數百毫安下工作（普通LED的工作電流為幾十毫安），有的甚至超過1A，因此可以發出非常強的光。 因為過熱是破壞性的，所以HP LED的效率必須很高，才能最大限度地減少熱量的產生，并且需要安裝在散熱器上散熱，否則沒有散熱的HP LED會在幾秒鐘內燒壞。 由于很難用一種GaN活性層來制作高效率的發光器件，商用大功率UV（波長大于290nm）、藍/綠光發射二極管都使用InGaN活性層。1mW輸出功率，400nm波長InGaN/AlGaN雙異質結構紫外發光二極管，外量子效率達到7.5%

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